华鑫证券有限职守公司庄宇，何鹏程，张璐近期对拓荆科技进行考虑并发布了考虑阐述《公司动态考虑阐述：半导体成立迎来升级窗口，“薄膜千里积+三维集成”技艺超过》，赐与拓荆科技买入评级。

拓荆科技(688072)

投资重心

技艺突破与界限化量产，中枢竞争力显耀晋升

依托在PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜千里积成立及三维集成成立界限的技艺突破与界限化量产，公司在先进制程界限中枢竞争力显耀晋升，业务界限终了大幅增长。公司2025年终了贸易收入65.19亿元，同比增长58.87%，终了归母净利润9.27亿元，同比增长34.67%。2026年一季度终了贸易收入11.12亿元，同比增长56.97%，终了归母净利润5.71亿元，开运中国官方网站同比增长488.29%。。

行业发展运转芯片改革，高端薄膜千里积成立迎来升级窗口

新技艺、新行业的爆发式发展执续运转芯片改革，全环绕栅极（GAA）、后面供电、高K（High-K）金属栅、高带宽存储器（HBM）等应时而生。先进制程和三维集成结构下，传统薄膜千里积材料已难以兴奋卑劣分娩中对高尚宽比、高刻蚀聘请比的需求，先进硬掩膜和介质薄膜将成为前沿技艺节点芯片制造的新趋势。同期，等离子体均匀性、高尚宽比结构的薄膜袒护性、宽温域调节、减少薄膜残留等卑劣先进芯片制造中的中枢工艺穷苦对薄膜千里积成立的技艺转换水平建议了更高条目，高端薄膜千里积成立迎来技艺升级窗口。

搀和键合赋能三维集成，LOL投注官网多界限需求共振

3D NAND通过晶圆搀和键合技艺照顾在单一晶圆上同期制造存储单位和复杂逻辑电路导致的良率低、本钱高的问题；HBM引入搀和键合技艺以维持更高的堆叠层数和互连密度；3DDRAM依托三维集成技艺突破传统平面封装的性能瓶颈，大幅晋升芯片带宽与存储容量，同期裁减功耗；CIS的搀和键合不错将DRAM缓存层键合进来，终了CIS芯片内的高速数据缓冲。在3D封装、Chiplet、异质集成等界限，搀和键合技艺终显著不同功能芯片的高密度集成，冲破单芯片制程演进的物理截止，搀和键合成立已酿成多界限需求共振的形势。

盈利估量

估量公司2026-2028年收入永诀为85.10、108.98、150.10亿元，EPS永诀为5.55、8.56、10.20元，面前股价对应PE永诀为113、73、62倍，公司当今已酿成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜千里积成立产物，以及晶圆对晶圆搀和键合、晶圆对晶圆熔融键合、芯片对晶圆搀和键合等三维集成成立产物，防守“买入”投资评级。

风险领导

宏不雅经济的风险，产物研发不足预期的风险，行业竞争加重的风险，卑劣需求不足预期的风险。

最新盈利估量明细如下：

该股最近90天内共有12家机构给出评级，买入评级8家，增执评级4家；畴昔90天内机构认识均价为402.19。

以上实质为证券之星据公开信息整理，仅供参考不组成投资建议。

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